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              標簽 > DRAM

              DRAM

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              DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)

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              DRAM簡介

                DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)

                工作原理

                動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。

                3管動態RAM的工作原理3管動態RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數據線和寫數據線也是分開的。

                寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導通,要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內保持信息。

                讀操作時,先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導通的狀態。若原來存有“1”,則Q2導通,讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”??梢?,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數據總線。

              DRAM百科

                DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據,DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數據)

                工作原理

                動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。

                3管動態RAM的工作原理3管動態RAM的基本存儲電路。在這個電路中,讀選擇線和寫選擇線是分開的,讀數據線和寫數據線也是分開的。

                寫操作時,寫選擇線為“1”,所以Q1導通,要寫入的數據通過Q1送到Q2的柵極,并通過柵極電容在一定時間內保持信息。

                讀操作時,先通過公用的預充電管Q4使讀數據線上的分布電容CD充電,當讀選擇線為高電平有效時,Q3處于可導通的狀態。若原來存有“1”,則Q2導通,讀數據線的分布電容CD通過Q3、Q2放電,此時讀得的信息為“0”,正好和原存信息相反;若原存信息為“0”,則Q3盡管具備導通條件,但因為Q2截止,所以,CD上的電壓保持不變,因而,讀得的信息為“1”??梢?,對這樣的存儲電路,讀得的信息和原來存入的信息正好相反,所以要通過讀出放大器進行反相再送往 數據總線。

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              2024-05-16 標簽:芯片DRAM存儲器 811 0

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              2024-05-16 標簽:DRAMAI憶阻器 684 0

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              DDR和LPDDR都是動態隨機存取存儲器(DRAM)的類型,它們在計算機和移動設備中用于臨時存儲數據。

              2024-05-12 標簽:DRAMDDR隨機存取存儲器 724 0

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              2024-04-22 標簽:半導體DRAM晶圓 210 0

              如何處理SoC中的性能瓶頸呢?

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              SoC 中不斷添加處理核心,但它們不會都得到充分利用,因為真正的瓶頸沒有得到解決。

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              2024-04-27 標簽:DRAMSDRAM存儲器 300 0

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              2024-05-03 標簽:DRAM嵌入式系統存儲系統 84 0

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              目前,各大內存芯片廠商,以及全球知名半導體科研機構都在進行3D DRAM的研發工作,并且取得了不錯的進展,距離成熟產品量產不遠了。

              2024-04-17 標簽:處理器DRAM三星電子 367 0

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              存內計算同樣是將計算和存儲合二為一的技術。它有兩種主要思路。第一種思路是通過電路革新,讓存儲器本身就具有計算能力。

              2024-04-09 標簽:芯片DRAM邏輯電路 769 0

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              dram資訊

              爆火!產能激增800%!

              來源:今日芯聞 ? 編輯:感知芯視界 Link 據業內人士透露,SK海力士正在擴產其第5代1b DRAM,以應對HBM及DDR5 DRAM需求增加。SK...

              2024-06-19 標簽:DRAMSK海力士 68 0

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              據韓國媒體報道,為了應對市場對高性能HBM3E(高帶寬內存第三代增強版)內存的激增需求,全球知名半導體制造商SK海力士已決定大幅增加其1b nm制程DR...

              2024-06-18 標簽:DRAM晶圓SK海力士 143 0

              SK海力士擴產1b DRAM,引領存儲行業新熱潮

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              2024-06-17 標簽:DRAMSK海力士HBM 290 0

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              傳三星電子12nm級DRAM內存良率不足五成

              近日,據韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內存生產過程中遇到了良率不足的挑戰。目前,該制程的良率仍低于業界一般目標的80%~90%...

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              三星大鬧罷工,存儲又要迎來一波漲價?

              不確定性正籠罩著存儲芯片市場,價格走向撲朔迷離,廠商們必須做好充分準備。 據國外媒體報道,韓國三星電子旗下工會29日宣布,由于加薪談判破裂,將于6月7日...

              2024-06-06 標簽:DRAM儲存芯片三星 154 0

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              2024-06-05 標簽:DRAM戴爾固態硬盤 165 0

              三星電子工會罷工,對全球芯片供應影響有限

              三星電子目前正面臨與全國三星電子工會(NSEU)之間的談判僵局。該工會代表了超過2.8萬名三星工人,并計劃在6月7日進行為期一天的罷工。盡管與其他公司長...

              2024-06-04 標簽:芯片DRAM三星電子 543 0

              云海芯科完成A輪融資,加速國產化存儲芯片研發

              近日,四川云海芯科微電子科技有限公司(簡稱“云海芯科”)成功完成A輪融資,本輪融資由成都創新風險投資有限公司領投。這一里程碑式的事件標志著云海芯科在國產...

              2024-06-03 標簽:DRAMSSD存儲芯片 423 0

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                華天科技主要從事半導體集成電路封裝測試業務,產品主要應用于計算機、網絡通訊、消費電子及智能移動終端、物聯網、工業自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領域。
              • 東軟
                東軟
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                東軟集團是中國領先的IT解決方案與服務供應商,是上市企業,股票代碼600718。公司成立于1991年,前身為東北大學下屬的沈陽東大開發軟件系統股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
              • OLED電視
                OLED電視
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                OLED(Organic Light-Emitting Diode),全稱“有機發光二極管”,是一種顯示屏幕技術。采用OLED技術制造的OLED電視,已經不再需要LCD液晶面板,RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示,幾乎已經不存在液晶的可視角度問題。

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              jf_66402353 jf_90233226 jf_65981738 jf_59085857 jf_16754549 夏繼琤 Jerry_Li_1 nmgdxwfq E02388_Clark cfansx 愛吃雞腿和蔬菜 jf_82890486

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